A SanDisk e a Toshiba anunciam a abertura da Fab 5, a terceira fábrica de memórias flash NAND de 300 mm nas instalações da Toshiba Operações Yokkaichi em Mie, no Japão.
As novas instalações, equipadas com equipamentos de fabricação financiados pela Toshiba e SanDisk, inicia a produção em julho de 2011. Atualmente, a Fab 5 usa processo de tecnologia com 24 nanômetros (nm) e o seu primeiro wafer será produzido em agosto. Com o tempo, o Fab 5 fará a transição para processos com gerações mais avançadas, começando com a tecnologia de 19nm.
A Fab 5 incorpora a estrutura de absorção de terremoto e integra múltiplas técnicas de compensação de energia para proteção contra perturbações inesperadas. A iluminação de LED e fabricação de equipamentos com economia de energia apoiará a Toshiba na obtenção da meta para reduzir em 12% as emissões de CO2, em relação à Fab 4. Um sistema de transporte de wafers liga as instalações das Fabs 3 e 4 para proporcionar uma produção eficiente.