Durante o fim de semana, a empresa anunciou que em 2013 o mercado vai testemunhar o seu “primeiro módulo de memória DRAM DDR4 totalmente funcional.” – estes foram exatamente os termos anunciados e levados ao conhecimento público nso principais canais de mídia global.
O módulo de memória DDR4 tem uma velocidade de frequência mais alta , é capaz de trabalhar com tensões mais baixas do que a atual DDR3. Ela continua sendo definida especificamente e o padrão oficial final parece estar a um pequeno passo da realizade, mas deverá ser formalizado somente neste final de ano.
Tudo indica que Micron quer ter um pé colocado diretamente na frente ao que se refere DRAM DDR4 para quando realmente chgarem ao mercado oficialmente, esteja bem a frente da ‘concorrência’.
Seus módulos desenvolvidos até agora têm uma capacidade de 4GB, são fabricados sob uma tecnologia de 30nm e foram projetados em conjunto com Nanya – outra empresa dedicada ao mercado de memória.
Até à data do lançamento, alguns clientes selecionados pela Micron já estarão trabalhando com vários módulos DDR4, a fim de realizarem testes apropriados e fornecer um feedback para o grupo de produção.
A Micron tem planos para desenvolver módulos de variantes, como DDR4 RDIMMs e LRDIMMs, 3DS, SODIMMs e UDIMMs esperando que seus primeiros compradores sejam integradores do ambiente corporativo e, em seguida, iniciar o servidor de distribuição para o consumidor em geral e no mercado móvel.
A empresa espera começar a produção em massa de DDR4 módulos de 4GB para o 4 º trimestre de 2012.