A empresa Sul Coreana, Hynix Semiconductor, pelo que indicam certos anúncios, parece não querer deixar escapar o desenvolvimento de chips DDR4 para as mãos únicas e ‘exclusivamente’ da Samsung. Inclusive saindo à frente (ao que se refere em aumento de velocidade nominal) e anunciando esta semana a finalização do desenvolvimento de chips DDR4 de 2Gb e de módulos SODIMM DDR4 de 2GB que funcionam a uma frequência de 2400 MHz.
A Hynix chega atrasada alguns meses, visto a sua rival, a Samsung, já ter apresentado os seus módulos de memória DDR4 (2133 MHz) em Janeiro, porém com velocidades nominais inferiores.
De acordo com a informação revelada pela Hynix, os módulos DDR4 de 2GB utilizam chips DRAM de 30nm, operam com uma voltagem de 1.2V, e oferecem uma largura de banda de 19.2 GB/s com um barramento de 64-bits. A memória DDR4 é um produto de memória de próxima geração que consome menos energia, enquanto que as transferências de dados é duas vezes mais rápida do que na memória DDR3, oferecendo assim, substancialmente uma performance superior em até 35% se comparadas diretamente nestas taxas com as memórias mais antigas.
A Hynix planeia começar a produção em massa dos chips de memória DDR4 no segundo semestre de 2012.