Combinando nanofios de silício e um plástico ferroelétrico, pesquisadores desenvolveram um novo tipo de memória de computador.
Como acontece com todos os novos tipos de memória de computador, este promete ser mais rápido e consumir menos energia – com a vantagem de não perder os dados quando o computador é desligado.
Leitura não-destrutiva
De fato, seu projeto é mais simples, o que torna possível consumir muito menos energia.
A nova memória é bastante similar às já bem conhecidas memórias ferroelétricas, ou FeRAMs.
Sua grande vantagem é que a informação armazenada no material ferroelétrico pode ser lida de forma não-destrutiva – a leitura não destrói o dado.
Com isto, torna-se possível armazenar o dado usando um transístor ferroelétrico, em vez de um capacitor, como nas atuais FeRAMs.
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Transístor ferroelétrico
O polímero ferroelétrico muda de polaridade sob a ação de um campo elétrico, permitindo seu uso como um transístor ferroelétrico – na prática, uma célula de memória que não perde os dados depois que a energia é desligada.
A nova tecnologia é chamada FeTRAM, uma sigla para memória de acesso aleatório com transístor ferroelétrico.
“Nós desenvolvemos a teoria e fizemos o experimento, e também demonstramos que ele funciona em um circuito,” afirmou Saptarshi Das, da Universidade Purdue, nos Estados Unidos.
Graças à eliminação do capacitor, a memória não-volátil tem potencial para usar 99% menos energia do que uma memória flash – como as usadas nos pen-drives.
“Entretanto, nosso dispositivo ainda consome mais energia porque ele ainda não foi adequadamente miniaturizado,” pondera Das. “Para as futuras gerações da tecnologia FeTRAM um dos principais objetivos será a redução da dissipação de potência. Eles também poderão ser mais rápidos do que qualquer outro tipo de memória.”
Bibliografia:
FETRAM. An Organic Ferroelectric Material Based Novel Random Access Memory Cell
Saptarshi Das, Joerg Appenzeller
Nano Letters
Vol.: 11 (9), pp 4003-4007
DOI: 10.1021/nl2023993